Amorphous transparent conducting In-Zn-O films prepared by pulsed laser deposition

Hideki Yoshioka; Hirokazu Izumi; Tsuguo Ishihara; Muneyuki Motoyama

doi:10.14853/pcersj.2002F.0.324.0

第15回秋季シンポジウム

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2002F.0.324.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

PLDで作製したアモルファスIn-Zn-O透明導電膜

吉岡秀樹, 泉宏和, 石原嗣生, 元山宗之

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キーワード: 酸化インジウム·亜鉛, 導電率, パルスレーザー蒸着, 透明導電膜, アモルファス, 透過率

会議録・要旨集フリー

p. 324

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抄録

パルスレーザー蒸着によりIn-Zn-O薄膜を作製し、電気的性質を検討した。成膜中の酸素圧が0.13から6.5Pa、基板温度が室温から300℃で作製した膜はアモルファスであった。膜の抵抗率は、酸素圧によって変化し、1.3Paで最小値を示した。また、基板温度を高くすると抵抗率は低下した。300℃、1.3Paで抵抗率は最小値(2.89×10^-4Ωcm)を示した

責任著者(Corresponding author)

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