PLD法によるAlを添加したMg_xZn_1-xO薄膜の構造と電気特性

抄録

PLD法によりサファイアA面基板上に[ZnO/(Zn, Mg, Al)O]₁₀膜を作製した。X線回折図形から、基板温度が高くなるにつれて結晶性が良くなっており、また、基板温度が700℃においては2thetaが31deg及び32.2deg付近に超格子回折のピークと同定されるピークが見られた。これにより、ZnO/(Zn, Mg, Al)O積層膜が高い周期性を持って成膜されたことが確認できた。