CSD法によるチタン酸ビスマス薄膜の特性に及ぼす希土類元素添加効果

抄録

チタン酸ビスマス系化合物は、優れた強誘電性および疲労特性を有するため、不揮発性メモリ用材料として最も有望である。本研究では、化学溶液法により(Bi, Ln)₄Ti₃O₁₂[Ln:La, Nd, Sm, Gd]薄膜の作製および評価を行った。その結果、各金属アルコキシドの溶液中での反応を制御することによって、均一かつ安定な前駆体溶液を得ることができた。Pt/Ti/SiO₂/Si基板上への(Bi, Ln)₄Ti₃O₁₂系薄膜の作製には、600℃以上の熱処理が必要であり、Aサイトに入るイオンにより、結晶性が異なることが分かった。また、このようにして作製した薄膜の誘電特性、および強誘電特性について評価した。