Ln₄Si₂O₇N₂(Ln=希土類)の合成と格子定数の再評価

抄録

一連のLn₄Si₂O₇N₂(Ln=希土類)を1MPaのN₂ガス圧下, 1973-2173Kの温度で, 窒素ガス圧焼結法により合成した。室温で測定されたLn₄Si₂O₇N₂のX線回折パターンをRietveld解析し, 格子定数(単斜晶系)を精密化した。格子定数および単位格子体積は, 希土類イオン半径が増加するに従い, 直線的に増加した。また, Ln=La-SmとLn=Gd-Luグループの間に格子定数変化のギャップが認められた。Rietveld解析の結果(Si周りの原子間距離とR-因子)から, 前者は高温型Y₄Al₂O₉構造, 後者は低温型Y₄Al₂O₉構造であると結論した。