MOCVD法によるNb添加SrTiO₃多結晶薄膜の作成とその半導性

抄録

基板と薄膜との格子ミスマッチが3.06%と少ないLaAlO₃基板上と、それとは配向が異なり(110)配向で90°rotatedするYSZ基板、さらにアモルファスであり格子ミスマッチを考えないシリカガラス基板上にNb添加SrTiO₃を成膜した。そして、NbはSrTiO₃内に固溶し、添加量の増加とともに格子定数が増加することを確認した。さらに極点図形によりYSZ基板上にSrTiO₃は90°rotatedした(110)配向することが分かった。温度変化、酸素アニールによる抵抗率の変化をバルク及び配向膜と比較し半導体化機構を検討した。