抄録
ジルコニア系ゲート絶縁膜のC-V特性とSiO2界面層生成に及ぼす種々の希土類酸化物の影響を調べた. Sm2O3安定化ZrO2(SmSZ)ゲート絶縁膜のC-Vヒステリシス幅はSc2O3安定化ZrO2(SmSZ)ゲート絶縁膜の半分以下であった. 高分解能TEM解析によりいずれの膜もSi基板上にエピタキシャル成長したこと, SmSZにおけるSiO2界面反応層の厚さはScSZの半分程度であったことが明らかになった. これらの結果は, イオン導電性を低下させるより大きな希土類イオンからなる安定化剤をドープしたジルコニアゲート絶縁膜の有効性を示唆している.
