抄録
ワイドバンドギャップ半導体である六方晶のAlNとSiCは格子不整が1%以内であり、熱膨張係数も近い。SiC基板上に、AlNを製膜することにより、MIS構造をもったパワーデバイスや高温動作デバイスに応用できる。しかし、SiC、AlNはともにc軸方向に自発分極による極性をもつ。本研究では、6H-SiCのSi(0001)面とC(000-1)面上にAlNを製膜し、基板極性による膜質の差異を観察した。XPSにより、AlとNの光電子散乱断面積の比(Al/N)をとると、Si面ではAl/N=約0.9∼1.0でAlリッチとなり、C面ではAl/N=約0.6∼0.7でNリッチとなった。Si面とC面では、成長したAlN膜の極性に違いがあると推定された。
