SiC単結晶の亀裂進展挙動と分子動力学法による表面エネルギーとの相関

抄録

SiC単結晶の破壊靭性値K_Icは、結晶方位に依存することが報告されている。K_Icと表面エネルギーγ_Sとの間には密接な関係にある。そこで本研究では、分子動力学(MD)法によりSiC単結晶のγ_Sを求め、発生する亀裂との関係について検討を行った。その結果、(0001)のγ_Sの値は、他の面のγ_Sの値よりも高くなった。また、ビッカース試験では、亀裂は(0001)には、発生しなかった。