PECVDによるTiSi₂薄膜の調製における析出条件の影響

抄録

高周波プラズマCVDにより、TiSi₂薄膜を調製した。基板温度、高周波出力およびTiCl₄流量を変えて、最適析出条件を探索した。析出温度850℃、RF出力200W、TiCl₄流量0.4sccmで、平滑なTiSi₂/Si界面をもつ均一なC54-TiSi₂相が析出することが分かった。このとき電気抵抗率も最も低くなった(20μΩ-cm)。薄膜の組成はTiCl₄量によって大きく変化した。また、薄膜の選択的な析出を確認した。