CVD-SiCのN₂-O₂およびAr-O₂雰囲気におけるECRプラズマ酸化

抄録

CVD-SiCを電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマを用いて, N₂-O₂およびAr-O₂雰囲気で、温度範囲473∼1073Kで酸化させた。酸化速度に及ぼす反応温度、酸素分圧および結晶面(Si面とC面)の影響について調べた。N₂-O₂およびAr-O₂両雰囲気において、C面の酸化膜厚の方がSi面より大きかった。酸化膜の構造はアモルファスSiO₂であった。Ar-O₂雰囲気での酸化膜形成はN₂-O₂雰囲気より低酸素分圧で進行した。CVD-SiCのECRプラズマ酸化は、低温における酸化膜作製に非常に有効であった。