日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2003年年会講演予稿集
セッションID: 1F06
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電気化学的手法を用いた Sc2O3 単結晶の育成
金 榮云*増井 敏行今中 信人足立 吟也
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抄録
Sc3+イオン伝導体であるSc2(MoO4)3固体電解質を用い、1223Kで電気化学的に酸化スカンジウム(Sc2O3)単結晶を育成した。一般的に、Sc203のような高融点物質の単結晶育成は、従来の加熱─冷却法では極めて難しい。これはSc203の融点が約2773 Kであるからである。これに対し、本研究の電気化学的手法を、希土類イオン伝導体であるLn2(MoO4)3固体電解質に用いることにより、高融点の希土類酸化物単結晶を1273 Kという温度で簡単に育成できる。
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©  日本セラミックス協会 2003
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