抄録
大気開放型化学気相析出(CVD)法で合成される導電性の酸化物には、ZnO:AlやIn_2O_3:Sn(ITO)などさまざまな材料が提案されている。本手法によりn型Si (100)基板上にITOウイスカーを形成し、その上に低仕事関数材料であるアモルファス炭素系膜をコーティングしたウイスカー型冷陰極を作製し電界放射特性を評価した。電界放射特性から、10^-6 Aにおける閾値電圧のSnドープ量依存性はそれぞれ(1)0 at% -1.46 kV, (2)1.0 at% -1.76 kV,(3)4.7 at%-2.26 kVであった。Fowler-Nordheim (F-N)プロットのそれぞれの直線領域の勾配を比較すると(1)Oat%がもっとも低<(2)1.0 at%, (3)4.7 at%はほぼ同程度となった。ITOウイスカーの先端曲率半径はSnドープ量が変化しても同程度であることから、見かけの仕事関数がSnドープ量にしたがって増加したといえる。 このことが電界放射特性に影響を及ぼした可能性がある。
