日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2003年年会講演予稿集
セッションID: 2K02
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通電加熱法による ZnO 結晶成長制御の検討
*根崎 大石郷岡 宏典山崎 晴生岡元 智一郎高田 雅介小川 賢治
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抄録
我々はZnOセラミックスをO2雰囲気下で通電加熱した場合に、その表面に六角柱のZnO 結晶が成長することを見出した。これまでにGaAs系において六角柱ファセットレーザーが実現されており、微小共振器レーザーへの応用として六角柱形状は大変興味深い。その様な応用には、結晶サイズの制御が重要な技術の一つとなる。そこで、今回は雰囲気の酸素濃度制御による結晶サイズの制御を試みた。酸素濃度が高まるにつれて、結晶の直径が増加する傾向がみられた。原因として気相中のZn/O比など複数の観点から考察している。今回の結果から、通電加熱法を用いたZnO 六角柱ホロー状結晶の直径制御方法として、雰囲気制御の有効性が示唆された。
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©  日本セラミックス協会 2003
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