抄録
CH_2=CH(CH_2)_3-O基修飾HLaNb_2O_7とヒドロシリル基末端ポリジメチルシロキサン(PDMS)との反応により、層間内でのヒドロシリル化反応を試みた。反応後基本面間隔は1.84nmから2.54 nmに増加した。IR スペクトルよりシロキサン骨格に起因するバンドが観察された。^<13>C CP/MAS NMRスペクトルと^<29>Si CP/MAS NMRスペクトルでは、ジメチルシリル基に帰属できるシグナルと(CH_3)_2Si(OSi)CH_2に帰属できるシグナルが新たに出現した。以上より、層間内に固定化されたC=C結合とPDMSの末端Si-H基の間でヒドロシリル化反応が進行したと考えられる。