MOCVD 法 PZT 薄膜結晶化に及ぼす SrTiO3 シードの状態変化

抄録

(111)Pt/IrO_2/SiO_2/(100)Si基板上にSrTiO_3シードをPLD法で作製し、その上にMOCVD法でPZTを成膜した。SrTiO_3シードは600,800℃で成膜した。シード上のPZTは設定温度350℃で成膜したところ、結晶化した。このことはXRDによりわかった。SrTiO_3シードの結晶性はRHEEDをもちいて調べた。AFM を用いて、シードの表面状態を調べた。800℃で作製したシードは結晶粒がはっきり観察され、600℃ではあまりはっきりとは観察できなかった。シードの粒子形状とPZTの配向性には関係があると考えられる。