抄録
エアロゾルデポジション（AD）法によりSUS基板上にPb(Ni1/3Nb2/3)O3_-_PZT（PNN/PZT）厚膜を形成した。 AD法で使用した原料粉末は固相法により作製し、950℃で仮焼することによりパイロクロアの無いペロブスカイト単相の粉末が得られた。XRD、TEM観察により室温で成膜したPNN/PZT膜はアモルファス相と微結晶から、600℃でポストアニールした膜は平均粒径80nmの微結晶からなり、ペロブスカイト単相の膜であることが確認された。 また、700℃でポストアニールした膜は誘電率1350、誘電損失0.06（1kHz）を示した。本研究は、経済産業省ナノテクノロジープログラム「ナノレベル電子セラミック材料低温形成・集積化技術プロジェクト」の助成のもとに実施された。
