MOCVD合成エピタキシャルPZT膜の結晶構造および電気特性

抄録

MOCVD法で合成したPZT膜の結晶構造評価および電気特性の評価を行なった。X線を用いた構造解析によりZr/Ti=50/50付近の組成（MPB近傍組成）のPZTは正方晶および菱面体晶の共存となっていることが分かった。また、これら2相共存となっているPZT膜は正方晶もしくは菱面体晶の単相となっているPZT膜よりも大きな電界誘起歪みを示すことが分かった。