日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第17回秋季シンポジウム
セッションID: 3C03
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SPS法による炭化ホウ素の合成同時焼結
*石橋 直明小寺 康博山本 武志大柳 満之
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抄録
本研究では、出発物質をB-C混合粉末として、炭化ホウ素の緻密化を試みた。その結果、一般市販B4C粉末が焼結を開始する1750℃より約150℃低温で焼結が開始した。B-C混合粉末は約1300℃において炭化ホウ素になるが、この温度では結晶構造が不完全であり、粉末X線構造解析結果より積層無秩序構造を有していると考えられた。積層無秩序構造と焼結挙動の関係はSiC 系にて研究されている。メカニカルアロイング法にて作製したSiC 粉末が有する一次元積層無秩序構造の秩序化が、原子の拡散が焼結・緻密化を低温で促進することが提唱されている。本研究の場合も、焼結開始温度の低下は同様の機構に起因することが示唆された。
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©  日本セラミックス協会 2004
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