光導波路材料としてのSiN薄膜の評価

抄録

微小な光回路の開発を目指し、有機液体原料を用いたPECVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition) 法により作製した高屈折率で低損失なSilicon nitride (SiN) 薄膜を検討している。SiNの原料としてはSiH₄が一般に用いられているものの、特殊高圧ガスの一種であり有害性を持つ。そこで我々は取り扱いがより容易であるHMDS (Hexamethyldisilazane), TDMAS (Tris(dimethylamino)silane)を用いてSiN膜の作製および評価を行った。その結果、両者を原料とした場合にもSiH₄を原料とした場合と同等以上の伝搬特性を有するSiN膜の作製に成功した。また、損失を低減するためには炭素不純物を減少させることが重要であることも明らかとなった。