近年、ナノプロセッシングに関する関心が高まり、AlNセラミックスにおいても様々な手法で作製が試みられている。著者らは、これまでNH3とC3H8を用いたガス還元窒化法によるAlNナノ粒子の合成を行ってきた。また、γ-Al2O3は低温で窒化が進行するとともに、AlNへ直接転移することを報告してきた。本研究では、27Al MAS NMRによりさらに詳細なγ-Al2O3からAlNへの窒化メカニズム解明を行った。その結果、α-Al2O3には存在しないが、γ-Al2O3に存在する4配位のAlO4は、6配位のAlO6よりも還元窒化が先行することが明らかになった。この様な選択的反応が、γ-Al2O3からAlNへの低温での直接転移を可能にしていると考えられる。
