エピタキシャルニッケル亜鉛フェライト薄膜における応力が磁気特性におよぼす影響

抄録

演者らはこれまで、種々のバッファー層上に作製したエピタキシャル成長フェライト薄膜では飽和磁化が変化することを見いだした。この原因として薄膜とバッファー層間の格子のミスマッチおよび熱膨張係数の差によって発生する応力が推定された。そこで、本発表では薄いシリコン（厚さ300マイクロメートル）を基板として用い、PLD法でエピタキシャル成長させたニッケル亜鉛フェライト薄膜を作製することにより機械的な応力（引っ張り応力および圧縮応力）を与えることにより磁気特性におよぼす影響を定量的に観察した。