(111)および(100)/(001)配向Pb(Zr,Ti)O3系薄膜キャパシタにおけるスイッチング現象

抄録

化学溶液堆積法により(111)配向Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT)薄膜と，さらにPbTiO₃バッファー層を用いて(100)/(001)配向させたPZT薄膜を作製し，上部電極としてIrO₂およびSrRuO₃薄膜を形成し，キャパシタを作製した。それらキャパシタのスイッチング特性を比較し，分極反転現象について検討した結果，(100)/(001)配向PZTキャパシタは特異な疲労現象を示すことが明らかとなった。またその疲労現象を含む分極特性は，上部電極材料にも影響されることがわかった。これらの現象におけるスイッチングメカニズムを膜の微構造との関連に基づいて考察する。