抄録
Siデバイスにおいて代表的なYSZバッファー層を用いたYSZ/Si構造において，薄膜の結晶化が界面構造に及ぼす影響を調べた．非晶質YSZ/Si薄膜をTEM中で300℃以上に加熱しながら，YSZ層の結晶化過程を平面・断面の両方向からその場観察した．YSZ/Si薄膜では，結晶化に伴って基板表面近傍に歪みコントラストが発生した．一方，YSZ/SiOx/Si薄膜では基板表面での回折コントラストの発生は一切観察されなかった．つまり，1nm程度の極薄SiOx自然酸化膜には結晶化に伴うSi基板表面の歪みを緩和する効果があることが明らかになった．
