抄録
セラミックス前駆体のTEOSから作製したナノ粒子をポリスチレン表面上に吸着膜形成させた被覆粒子は、成形・焼成することで、孔の形状・配列、孔を形成する壁厚を制御された高制御多孔質体を作製することが可能である。その被覆されたポリスチレンを焼成によって除去した後も被覆膜は壊れずに高制御多孔質構造が形成される。我々は、その形成メカニズムを熱分析によって調べた。その結果、被覆されたシリカは、ポリスチレンが除去される温度よりも低い温度で反応が始まることによって、基質粒子上で膜形成されるために、ポリスチレンが除去されても被覆膜は壊れないことが示唆された。
