抄録
CSD法によるPZT薄膜を形成する場合に、電界印加焼成したシード層を用いることでc-軸配向させた。さらに、その様にして得られたPZT薄膜の電気特性と組成の関係を詳細に調べた。
その結果、PbOをシード層として(001)&(100)配向させた同組成のPZT薄膜と比較して高い圧電特性を示した。また、本研究で得られた圧電特性と組成や配向性との関係は、理論計算の結果と良く一致した。
以上の結果から、電界印加焼成により形成したシード層による配向制御が優れた電気特性を示すPZT薄膜の形成に非常に有効であることが分かった。
