SiおよびSiC粒界の安定性解析：MD,TBMD,およびハイブリッドMD/TBMDシミュレーション

抄録

SiおよびSiCの粒界形成および熱的安定性の解析を、タイトバインディング分子動力学シミュレーションによって行う。特に今回は、解析を粒界３重点やナノ微粒子界面へ拡張するため、古典的分子動力学法とハイブリッド化した計算手法を適用する。講演では、これら高エネルギー粒界の構造安定性ならびに不純物の影響と拡散についての解析結果を報告する。