層状コバルト酸化物SrxCoO2 (x~0.4)エピタキシャル薄膜の作製と熱電特性

抄録

酸化物薄膜熱電変換デバイスの実現を目指し、反応性固相エピタキシャル成長法により作製したp型NaxCoO2(x~0.8)エピタキシャル薄膜を、Sr(NO3)2粉末と共に、大気中、310℃で加熱することで、p型SrxCoO2(x~0.4)エピタキシャル薄膜（σ_RT=8.9x10²S/cm、S_RT=+1.1x10²μV/K）を作製した。作製した薄膜のキャリア濃度、Hall移動度及びSeebeck係数の温度依存性を測定したところ、NaxCoO2に見られるHall係数の反転現象は見られず、低温になるに伴いキャリア濃度、Hall移動度が増加し、逆にSeebeck係数が減少するという金属的挙動が観測された。