日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第18回秋季シンポジウム & 第1回アジア-オセアニアセラミック連盟国際会議
セッションID: 1P35
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陽電子寿命測定法によるAlN中欠陥評価
*金近 幸博東 正信福島 博
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抄録
窒化アルミニウム(AlN)セラミックスは、高熱伝導率、高透光性、高絶縁性、高耐食性を有する優れた材料として様々な分野で用いられている。AlNセラミックスは、結晶中に固溶した不純物や格子欠陥の影響により熱伝導率や透光性などの特性が低下することが知られている。しかしながら、AlNセラミックス中の格子欠陥と物性との関係については十分な解明がなされていない。陽電子寿命測定法は、空孔型の格子欠陥に非常に敏感であり、結晶中への不純物の固溶に起因した格子欠陥や結晶の不定比性に伴う格子欠陥の評価を行うことが可能である。本研究では、本手法をAlNセラミックスに適用し、種々の物性と格子欠陥の関係について検討を行った。
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©  日本セラミックス協会 2005
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