日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第18回秋季シンポジウム & 第1回アジア-オセアニアセラミック連盟国際会議
セッションID: 1D27
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水熱法によるチタン酸鉛エピタキシャル薄膜合成
*森田 剛長 康雄
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抄録
水熱合成法による強誘電体薄膜は、150℃という従来にない低温合成であるため、鉛の揮発や残留応力を抑制することができ、高品質結晶薄膜となる。本研究では、強誘電体の中でも最も重要でありながら、その合成が困難であったチタン酸鉛のエピタキシャル薄膜を合成し、その強誘電体特性と圧電特性を測定した。自発分極値は96.5uC/cm2で、d33は97pC/Nといずれも理論予想値を超える大きな値で、本手法の優位性が明らかになった。
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©  日本セラミックス協会 2005
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