抄録
交播パルス電界を平行平板電極に印加することによって形成するプラズマは常圧においても安定な放電を維持することができる。発光分析を用いて窒素プラズマを評価した結果、減圧プラズマでは殆ど観測されなかったN2(2nd positive system)及び N2(Herman's infrared system)に起因する発光が観測された。純窒素ガスを用いてSi基板の窒化を検討した結果、室温においても1.8 nmの窒化膜が形成し、膜厚は基板温度に依存しないことから原子状窒素励起種に匹敵する非常に高い反応性を示すことが分かった。また、膜厚の圧力依存性からN2(2nd positive system)に起因する励起種が大気圧近傍での窒化反応に寄与していることが分かった。誘電特性においてもリーク電流値は5 MV/cmにおいて5.1×10-1 A/cm2であり、報告されている窒化膜と比較して1桁程度低い値であった。
