強誘電体PLZT二次元フォトニック結晶のバンドチューニング

抄録

レジスト鋳型を用いたゾルゲル法により三角格子配列の強誘電体PLZTロッド型フォトニック結晶を作製した。PLZTロッド間隙への樹脂充填および表面研磨後、上部電極を形成した。TEおよびTM偏光に対する分光反射測定においてフォトニックバンドギャップに起因するピークを観測し、電圧印加時にピークのシフトが見られた。チューニング幅はPLZTの電気光学効果による屈折率変化から予測される値と近く、これらのピークシフトはPLZTの屈折率変化に起因するバンドチューニングの効果であると考えられる。