抄録
ＲＦ窒素ラジカル源をもちいた超高真空装置により種々の金属窒化物薄膜を合成した．Sr2Nはファンデルワールスギャップをもつ層状窒化物である．窒素ラジカルを照射しながらSrを蒸着することにより、00l配向したSr2Nを合成した．電気伝導度測定により、この化合物が層に平行な方向に高い電気伝導度を示すことがわかった．また、MgO単結晶基板上にCrN-TiN薄膜をレーザーアブレーションによりエピ成長させ、その物性を検討した．CrNにTiNを固溶させると、強磁性(Tc=150 K)が発現し、電気伝導度も大きく変化した．講演ではさらに新しい結果も交えて報告する．
