Pt およびIrO2電極上に作製された（Bi,Ln)4Ti3O12 (Ln=La, Nd およびSm)薄膜の強誘電および圧電特性

抄録

ランタノイド元素で置換されたBi₄Ti₃O₁₂薄膜は不揮発性メモリおよびMEMS用の強誘電体材料として注目されている。Bi₄Ti₃O₁₂はその電気物性に著しい異方性を有するため応用の際には多結晶電極上での配向制御が重要である。本研究ではPtおよびIrO₂電極上に(Bi,Ln)₄Ti₃O₁₂　(Ln=La, NdおよびSm)薄膜を作製した。Pt上ではc軸配向膜が、IrO₂上では(111)および(110)配向膜が成長した。得られた薄膜のP-Eヒステリシスループおよび圧電定数d₃₃を測定したところ、ランタノイド元素種によらず、IrO₂電極上に作製した薄膜はPr電極上に作製した薄膜よりも大きい残留分極値およびd₃₃値を示した。ランタノイド元素置換による分極方向の変化は観察されなかった。