抄録
近年、酸化物エレクトロニクスの分野が注目を集めている．酸化物半導体と酸化物強誘電体のヘテロ接合を用いることで，強誘電体の自発分極によってチャネルのキャリアを直接制御する強誘電体ゲートFETが作製できる．強誘電体ゲートFETは，，高集積化．高速動作，非破壊読み出しが可能な不揮発性メモリの基本素子として注目されており，酸化物半導体を用いることで良好な半導体-強誘電体界面の形成が期待できる．
本研究では，酸化物半導体とヘテロ界面を有する強誘電体薄膜の自発分極を安定化するために，自発分極を有する半導体（焦電性半導体）をチャネルに用いた新規な強誘電体ゲートFETの作製を試みた．
