日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第19回秋季シンポジウム
セッションID: 2A04
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アニール処理されたSrRuO3薄膜の酸素含有量と電気特性
*坂井 穣伊藤 暢晃伊藤 信一高橋 健治舟窪 浩
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抄録
様々な条件でアニール処理されたSrRuO3 (SRO) 薄膜の酸素含有量と結晶構造、電気特性との関連を調べた。SRO 薄膜はスパッタ法にて (100) SrTiO3 基板上に堆積させた後、圧力 50 mTorr、温度 Ta のAr雰囲気中で10分間アニール処理した。各薄膜試料について、酸素含有量を非ラザフォード弾性共鳴散乱法 (NRERS) により定量するとともに、X線回折法による構造評価と4端子法による ρ-T 測定を行なった。結果、酸素含有量は Ta = 500℃のとき顕著に減少するが600℃以上では再び増加した。一方電気抵抗率は Ta とともに単調増加した。すなわち高 Ta 領域では酸素量と導電性の間に相関はなく、むしろ結晶構造の崩壊が導電性劣化の直接要因であることが示唆された。
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©  日本セラミックス協会 2006
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