抄録
次世代不揮発性メモリとして，電圧印加により抵抗状態を制御するRRAMが注目されている． CuOをはじめとする二元系遷移金属酸化物のRRAM動作においては高電圧印加による初期化操作（フォーミング）が必須であるが，演者によりこの本質は電圧印加時に電極間チャンネル領域に誘起される導電性フィラメントであることが証明された．しかしながらそのフィラメント領域そのものがメモリ動作発現の場となっているかは自明ではない．本講演では収束イオンビームを用いた微細加工プロセスによりフィラメントの精密形状制御を行った結果を報告し，その形状とメモリ動作との関連性により機能発現領域のマッピングを含むメモリ効果発現メカニズムについて議論する．
