TG-MassによるSiC粉末の高温酸化過程におけるガス分析

抄録

昇温前から酸素ガス(P_O2= 2 kPa)を導入すると、昇温過程で重量増加とCO₂(またはSiO)ガスの生成が観察され、パッシブ酸化が確認された。一方、Ar雰囲気中で昇温し、一定温度に達してから酸素ガスを導入した場合、昇温過程で重量減少とCO₂(またはSiO)ガスの生成が観察され、アクティブ酸化が確認された。高温保持過程において、Ar雰囲気中で昇温後に酸素導入した場合の酸化速度は、昇温前から酸素ガスを導入した場合の酸化速度に比べて遅かった。この酸化速度の減少は、アクティブ酸化後のパッシブ酸化によって形成された凹凸の多いSiC/SiO₂界面に起因していると考えられる。