Si₃N₄-C系圧力センサ材料の研究

抄録

Si₃N₄系セラミックスは、高強度を有し耐熱性に優れているため高温用構造材料として知られているが、このSi₃N₄に導電性粒子のCを分散させると、圧力を加えた際にそれに比例して電気抵抗が小さくなることを見出したことから、高温用電子デバイスへの用途拡大が期待される。そこで、Si₃N₄＋C系セラミックスの圧力センサ材料としての可能性を検討した結果、C量は材料特性に影響を及ぼし、C量の増加に伴い圧力感度が増加する一方、3点曲げ強度は低下し、C量を最適化することにより、圧力感度：-0.04％/MPa、3点曲げ強度：240MPaが得られることを明らかにした。