レーザーCVD法によるシリカ膜の合成

抄録

　SiO₂は優れた化学的安定性を有するため、金属への耐酸化コーティングなどに広く応用されている。化学気相析出法(CVD法)は、高純度で緻密なシリカ膜を合成できるプロセスであるが、これまで報告されている成膜速度は10 micro m/hと小さい。本研究では、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料とし、レーザCVD法によるシリカ膜の高速合成を試みるとともに、成膜条件と、膜の微細構造、成膜速度の関係を調べた。