炭化ケイ素多孔体の焼結挙動のその場測定

抄録

押出成形法によって作製されたSiC多孔体の焼結収縮挙動をレーザー変位計で測定した。その結果、1700℃まで熱膨張以外の膨張が確認され、その後、わずかに収縮した。また、SiC多孔体の焼結収縮挙動は雰囲気に依存した。これは、SiO2の揮散やSiCの蒸発凝縮過程の差異によるものと考えられる。微構造も焼成雰囲気に依存して変化する様子が確認された。