抄録
チタン酸ジルコン酸鉛Pb(Zr,Ti)O3（以下PZT）は高機能かつ多機能な強誘電体材料である。PZT薄膜と基板を構成する物質の熱膨張係数の差等から生じる応力や各種プロッセッシングパラメーターは、形成したPZT薄膜の電気特性に大きな影響を及ぼす。本研究ではCSD法により3種類の単結晶基板（STO(100)、STO(110)、MgO(100)）上にPb1.2(Zr0.53Ti0.47)O3組成のPZT薄膜を形成し、それらの電気特性を評価した。結果として用いる基板により同じ前駆体溶液から形成したPZT薄膜でも、XRD測定、誘電特性や強誘電特性の結果が大きく異なることが明らかとなった。
