抄録
近年、携帯電話用RFフィルタとして、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタと圧電薄膜を用いたFBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)フィルタが主に用いられている。両者はともに圧電材料をベースに、電気機械変換とその逆変換を通して、固体の機械的共振を励振、受信して周波数の安定したフィルタとしている。両者ともに半導体と同様な微細加工によりウエハ上に形成できるため、小型で大量生産が可能である。ともに類似した特性ももっているが、それぞれ異なる点があり、それが特徴となっている。両者の構造上の特徴、特性や応用上の違い、等を述べるとともに、両者の将来動向についても述べる。