抄録
優れた強誘電、圧電特性を有するPZT薄膜はFeRAM, MEMSなどへの各種応用が期待されているが、結晶欠陥による特性劣化の問題がある。我々はこの結晶欠陥について調べるため、熱刺激電流測定法により評価を試みてきた。この手法は試料を加熱した時のトラップ準位でのキャリアの捕獲、脱離を電流測定で観測するものである。しかし、キャリアの同定、挙動などについては不明な点もあり、定量的な議論が難しい問題もある。それに対して、今回、PZT膜内でのキャリアの挙動を光照射や電圧パルスの印可によりさらに調べ、キャリアの寿命などについても考察を行ったので、報告する。
