(Mg,Zn)O薄膜のキャリア輸送特性

安達 裕; 坂口 勲; 大橋 直樹; 羽田 肇

doi:10.14853/pcersj.2007S.0.316.0

2007年年会講演予稿集

セッションID: 2P032

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2007S.0.316.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

(Mg,Zn)O薄膜のキャリア輸送特性

*安達裕, 坂口　勲, 大橋直樹, 羽田肇

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キーワード: （Mg,Zn)O, ホール測定, キャリア濃度, 移動度, サファイヤ基板, ZnO

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抄録

(Mg,Zn)O薄膜のキャリア輸送特性の制御は、ZnO系でLEDやLDを開発するために重要である。キャリア輸送特性は薄膜の構造や生成される欠陥構造に大きく影響される。本研究ではa-、c-、およびr-sapphire基板上にノンドープ、Nドープ、およびAlドープ薄膜を作製し、基板の違いがどのように電気特性に影響するかを調査したので報告する。

責任著者(Corresponding author)

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