抄録
ニオブ酸リチウムLiNbO3は優れた非線形光学効果、電気光学効果を示し、LiNbO3単結晶を用いた光スイッチ、光導波路などの個別光学デバイスが実用化されている。近年はデバイスの小型化・高速化あるいは省エネの観点から、LiNbO3の薄膜化に関する研究が盛んになりつつある。LiNbO3薄膜の作製法は多岐にわたり、中でもMOCVD法は優れた段差被覆性をもち、大面積成膜に適しており実用性の高い成膜法である。本研究ではMOCVD法により、Al2O3基板上にエピタキシャル成長したLiNbO3薄膜を作製し、薄膜の作製プロセスが薄膜の組成、結晶性、表面状態に与える影響を詳細に検討した。また、作製条件を最適化することにより、定比組成(Li:Nb=1:1)をもつエピタキシャルLiNbO3薄膜を作製することに成功した。
