サファイヤ基板上のAl添加ZnO薄膜の極性

抄録

ZnOは室温で大きな励起子結合エネルギーを有することから高効率な発光素子への応用が期待されている。ZnOはc軸方向に極性を有し、その極性はZnOの物性に大きな影響を与える。よって、ZnO薄膜の極性制御はデバイス応用にとって重要な課題である。我々は前回、a面サファイヤ基板上に作製した無添加のZnO薄膜は-c極性であるのに対し、Al添加ZnO薄膜は+c極性であることを報告した。本研究ではAl添加濃度および薄膜成長温度がZnO薄膜の極性に与える影響について調査したので、その結果について報告する。