コランダム酸化物薄膜結晶の原子レベル層状成長制御に関する試み

抄録

反射高速電子線回折の強度振動（RHEED振動）を利用し、ペロブスカイト型酸化物薄膜の界面平坦性を原子レベルで制御した人工格子作製が盛んに行われている。これに対しコランダム型酸化物にもV₂O₃やCr₂O₃、Fe₂O₃など多様な機能性酸化物があり、原子レベルで界面制御されたコランダム型人工格子を作製することは、新規な機能性酸化物材料の創製に有効である。しかしながら、通常基板として用いられるAl₂O₃はコランダム型遷移金属酸化物に対して格子不整合が大きく、RHEED振動を伴った層状成長は困難である。そこでバッファ層を検討し、Al₂O₃(0001)基板上でRHEED振動を伴ったFe₂O₃及びTi₂O₃の層状成長を試みた。