日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第21回秋季シンポジウム
セッションID: 2D01
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磁場中スリップキャスト法によるヘマタイト配向体の創製
*中村 直樹打越 哲郎目 義雄
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抄録
先端材料の高機能化や多機能化のための共通基盤技術として、出発原料粒子の構造 (粒径、配向)や特性を維持したままボトムアップし、最終的に組織微構造の制御 された薄膜やバルク体を作製するプロセスの確立は重要な課題である。本研究では、原料ナノ粒子のバルク化手法として磁場を利用した配向制御技術を用いることにより、資源上問題の無いユビキタス元素(Fe,O)からなる完全配向ヘマタイトバルク体の創製に成功した。また、出発原料、印加磁場強度、焼成温度などのプロセスパラメータが最終的な配向構造に及ぼす関係について検討した。
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©  日本セラミックス協会 2008
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