高周波チューナブル(Ba,Sr)TiO₃強誘電体薄膜の開発

抄録

(Ba,Sr)TiO3強誘電体薄膜は誘電率の電界依存を利用した次世代の高周波チューナブルデバイスへの応用が注目されている。しかしながら、本薄膜は一部市場では供されているが技術課題も多く、特にチューナビリティとトレードオフの関係にある誘電体損失の低減のための材料最適化が求められているものの、それら高周波領域における物性相関についての報告は極めて少ない。本発表ではチューナブル応用で近年注目されているミリ波領域を含めた広帯域におけるBST薄膜の誘電物性について、デバイス応用の視点から各種最適化パラメータ（Ba/Sr比、ト゛ーフ゜、2次元面内応力）の依存性について報告する。