液相エピタキシー法による(Zn,Mg)O厚膜の成長

抄録

酸化亜鉛系半導体を発光デバイス用途に応用することを目的として、ZnO薄膜およびZn1-xMgxO薄膜の研究が活発に行われている。しかし、その成長法にはMBE、PLDなどの気相成長法（非平衡成長）を用いるのが一般的であり、比較的熱平衡に近い状態での結晶成長法である液相成長法の報告例はほとんどない。我々は結晶品質の高い膜結晶の成長法として液相エピタキシー法（LPE法）を採用し、ZnO膜およびZn1-xMgxO膜の成長を試みた。